Objavljeno: 19.6.2003
IBM in Infineon predstavila magnetni pomnilnik
IBM in Infineon sta na simpoziju v Kyotu skupaj predstavila dokumentacijo o magnetnem pomnilniku MRAM (Magnetic Random Access Memory), eni najbolj obetavnih tehnologij za zamenjavo pomnilnika flash v telefonih. MRAM združuje tehnološke principe iz sveta magnetike in izdelave silicija. V pomnilniški celici v čipu namreč ustvarijo drobno magnetno polje, ki ga sistem lahko prebere in tako določi vsebino.