IBM izboljšuje tehnologijo PCM
IBM je s svojimi raziskovalci v laboratoriju v Zurichu uspel narediti nov pomemben korak na področju pomnilniških tehnologij. Obetavno tehnologijo PCM (Phase Change Memeory) so uspeli precej izpopolniti in jo približali korak bližje praktični rabi. IBM trdi, da tehnologija PCM omogoča tudi do 100-krat hitrejše branje in zapisovanje podatkov v pomnilniške celice, kot pri današnji tehnologiji Flash RAM. Dobršen del gre tudi na račun, da so s pomočjo spretnega inženirskega dela uspeli v posamezno celico shraniti do štiri bite, medtem ko je bilo doslej to narediti le z enim.
Nova tehnologija povrh vsega napoveduje precej bolj zanesljivo delovanje. Prvi poizkusi s celicami PCM so namreč pokazali, da je prihajalo do degradacije materialov in povečanje električne upornosti, kar je vodilo do napak pri prebiranju. Zdaj so to odpravili in obetajo celo precej več kot je možno danes. Nova generacija pomnilnikov PCM naj bi tako brez težav preživela okoli 10 milijonov zapisovanj v celico proti približno 30.000, kolikor jih omogočajo današnji profesionalni izdelki s tehnologijo Flash RAM in okoli 3.000, kolikor jih srečamo v cenejših potrošniških izdelkih.