IBM kombinira tehnologije za boljše tranzistorje
Pri družbi IBM so razvili nov pristop k gradnji tranzistojev, ki bi lahko izboljšal njihovo hitrost in energijski izkoristek. V isti plasti so kombinirali prenapeti silicij in silicijev izolator. Prenapeti silicij izboljša gibljivost elektronov, kar se pokaže na večji hitrosti, silicijev izolator pa zmanjša tok curljanja, kar pomeni, da se zmanjšajo energetske izgube. Nova tehnologija naj bi izboljšala lastnosti za 20 do 30 odstotkov. Pri vezjih, ki v zadnjem času vsebujejo do 250 milijonov tranzistorjev, v kratkem pa jih bo še več, so take izboljšave ključne.
Ena prvih rešitev za zmanjšanje energetskih izgub je bila tehnologija silicij na izolatorju, ki jo je razvil IBM, vgrajena pa je v procesor Opteron, ki ga proizvaja družba Advanced Micro Devices (AMD). Prenapeti silicij bodo prvič uporabili v vezjih Prescott in Dothan družbe Intel. Pri tej tehnologiji so v silicijevi plasti vgrajeni večji germanijevi atomi. Razvili so jo že konec osemdesetih let, vendar so jo tedaj zaradi zahtevnosti zavrgli. Proces zahteva kar okoli 1.600 do 1.700 proizvodnih korakov.