Objavljeno: 8.7.2001
IBM predstavil še eno inovacijo, ki bo omogočala hitrejše tranzistorje
Po objavah razvoja tehnologij >>ogljikovih nanotub<< in >>raztegnjenega silicija<<, je IBM objavil, da so razvili najhitrejši tranzistor osnovan na siliciju. V laboratorijskih poskusih zmore nov tranzistor delovati s taktom 210 GHz, ob tem pa porabi le en miliamper električnega toka. Po predvidevanjih podjetja, bo ta tehnologija v dveh letih omogočila izdelavo tranzistorjev, ki bodo delovali s taktom 100 GHz. Nove tranzistorje so izdelali s pomočjo spojine silicija in germanija (SiGe), ki jo uporabljajo tudi za tako imenovan raztegnjen silicij. Hkrati so uspeli nov tranzistor predelati tako, da deluje v navpično in ne vodoravno, kar še dodatno pospeši električni tok in posledično sam tranzistor.