Majhen in varčen pomnilnik
Nemški proizvajalec integriranih vezij, Infineon, bo sodeloval s Toshibo pri razvoju nove vrste pomnilnikov. Nova tehnologija temelji na fero-električnih lastnostih snovi. FeRAM naj bi porabil bistveno manj energije od trenutno najbolj razširjenih pomnilnikov DRAM in SRAM, poleg tega pa bodo lahko shranjeval podatke tudi tedaj, ko niso pod napetostjo. Zaradi naštetih lastnosti in majhnosti naj bi bili uporabni predvsem v različnih prenosnih napravah, na primer v prenosnih telefonih. Prvi pomnilniki z zmogljivostjo 32 MB naj bi bili na voljo do konca leta 2002, v prihodnosti pa načrtujejo še razvoj 64 MB in 128 MB pomnilnikov.
Toshiba in Infineon bosta sodelovala vsak s polovičnim vložkom v proizvodne zmogljivosti, razvoj pa bo potekal na Japonskem. Zanimivo je, da so razvoj nove vrste pomnilnika napovedali le nekaj dni potem, ko je IBM obelodanil načrte v zvezi z razvojem magnetnega pomnilnika (MRAM), ki bo shranjeval podatke z namagnetenjem. Tudi ta pomnilnik obdrži podatke, medtem ko je odklopljen, vendar je počasnejši, njegova zmogljivost pa je večja. Tehnologija MRAM naj bi svoje mesto našla predvsem v prenosnih računalnikih, vendar napovedujejo prve tovrstne pomnilnike šele za leto 2004.