Napredne tehnologije tudi pri AMD
Pri družbi Advanced Micro Devices skušajo najti nove načine izboljšanja vezij. Pri tem želijo združiti nekaj najnovejših dognanj, kot so prenapeti silicij, tranzistorji z več vrati in zamenjava silicija na kritičnih mestih s drugimi kovinami. Po mnenju predstavnikov družbe je odločna sprememba tehnologije izdelave mikroprocesorjev pogoj za preživetje družbe. Vezja postajajo vedno manjša, hitrosti delovanja večje, precej materialov in proizvodnih postopkov pa tega ne omogoča več.
Pri sedanjih vezjih je plast oksida, ki loči vrata tranzistorja od toka elektronov debela le še pet ali šest plasti atomov. Nadaljnje tanjšanje povzroči curljanje električnega toka, s tem pa večje izgube in nepredvidljivo delovanje. Pri AMD so dosegli 30-odstotno izboljšanje hitrosti tranzistorja z dvema spremembama materialov: za vrata tranzistorja so uporabili nikljev silicid, za izolator pa popolnoma osiromašeno plast silicija-na-izolatorju (>>SOI<<). Ker nikelj izboljša prevodnost elektronov je lahko >>oksid vrat<< debelejši (10 atomski plasti), zato je tudi manj curljanja.
Pri AMD so še povedali, da so s pomočjo prenapetega silicija dosegli še za 20 do 25 odstotno izboljšanje. Napeti silicij pomeni fizično oddaljiti silicijeve atome eden od drugega, da lahko elektroni hitreje potujejo. To dosežejo z dodatkom atomov germanija, ki so večji od silicijevih. Poleg tega tudi pri družbi AMD raziskujejo tranzistorje z več vrati, ki zagotavljajo enakomernejši tok elektronov. Preizkušajo tranzistor >>finfet<< z dvojnimi vrati in tranzistor s trojnimi vrati.