Novi pomnilniki na obzorju
Današnji pomnilniki DDR3 RAM in Flash RAM bodo v prihodnje dobili nove tekmece. Samsung in Micron tako vodita konzorcij okoli novega tipa pomnilnikov imenovanega Hybrid Memory Cube (HMC), ki obljublja večjo zmogljivost in bistveno manjšo porabo energije. Tehnične podrobnosti in specifikacija so šele v nastajanju, temeljijo pa na uporabi več slojev pomnilniških celic z novo tehniko TSV. Raziskovalci navajajo, da bodo novi pomnilniki HMC nudili okoli 15-krat večjo zmogljivost v primerjavi z današnjimi pomnilniki DDR3 in hkrati do sedemkrat večjo energijsko učinkovitost. Demonstracijo tehnologije je pred kakim mesecem prikazal Intel, ko je prototip pomnilnika HMC uporabil v kombinaciji s procesorjem, ki ju je napajala sončna energija. Specifikacija bo nared naslednje leto, množična proizvodnja pa ne pred letom 2015.
Še pred tem pa bomo deležni povečani konkurenci na področju pomnilnikov, ki ohranijo vsebino tudi brez prisotnosti napajanja. HP in Hynix mislita, da je odgovor na tem področju pomnilnik ReRAM, ki uporablja memristorje (četrti osnovni element v elektrotehniki poleg kondenzatorja, tuljave in upornika) za večjo hitrost in manjšo porabo energije. Prve primerke bomo srečali menda že v letu 2013, možno pa je, da bo ReRAM konkuriral celo pomnilnikom DRAM, vendar ne pred letom 2015. Konkurenčna ponudba prihaja iz univerze Purdue, kjer so predstavili prototip pomnilnika FeTRAM, ki so energijsko še bolj učinkoviti.