Podatkovni pomnilniki bodo še manjši

Dva raziskovalna laboratorija za materiale sta razvila izjemno občutljivo napravo reda velikosti 1 nanometer, s katero naj bi za več tisočkrat zmanjšali velikost pomnilniških naprav. Problem pri manjšanju pomnilniških celic je hkratno zmanjšanje njihovega magnetnega polja, zato je tudi branje podatkov težje. Zanesljivost branja je odvisna od dovolj velike spremembe inducirane električne napetosti na senzorju, pri sobni temperaturi pa je to še toliko težje.

Poskus na Univerzi zvezne države New York v ZDA je pokazal, da je tudi to mogoče. Raziskovalci so s pomočjo magnetnega senzorja iz niklja dimenzij le nekaj atomov zabeležili neobičajno visoke magnetne lastnosti, ko so raziskovali dodatni vpliv >>spina<< atomov (magnetno polje, ki nastane zaradi kroženja elektronov). Doslej so za bralne glave uporabljali učinek t.i. >>ogromne<< magnetne upornosti (>>giant magnetoresistance<<, GMR), pri katerem se v materialu, ki je v bližini magnetnega polja, spremeni električna upornost.

Novi princip so efekt poimenovali >>izstreljena<< magnetna upornost (>>ballistic magnetoresistance<<, BMR). Pri poskusu so izmerili rekordno spremembo upornosti senzorja, ki je presegla 3000 odstotkov (pri GMR pod 100 odstotkov). Raziskovalci že napovedujejo končno gostoto zapisa okoli 1 terabitov na kvadratni palec (150 Gb na kvadratni cm).