Pomnilnik z rekordno gostoto

Znanstveniki ameriške univerze UCLA iz Los Angelesa so uspeli razviti miniaturno pomnilniško vezje velikosti 160 Kb, ki se lahko pohvali z gostoto kar 100 Gb na kvadratni centimeter. Posamezen bit zavzame le okoli 15 nm, kar je bistveno manj od današnjega najbolj gostega pomnilniškega vezja, kjer dosegajo velikosti celic okoli 140 nm. Pomnilnik so izdelali z uporabo mreže 400 silicijevih in 400 titanijevih niti, kjer je na vsakem vozlišču pomnilniška celica v obliki miniaturnega stikala imenovanega rotaxan. Stikalo je podobno prstanu, ki lahko zdrsne iz ene lokacije na drugo in s tem ponazori bit. Čeprav so znanstveniki izdelali delujoč prototip poudarjajo, da bomo tovrstno tehnologijo lahko videli v praksi šele okoli leta 2020.

http://stoddart.chem.ucla.edu