Objavljeno: 28.6.2004
Prvi prototipi MRAM
Infineon in IBM sta predstavil prvi prototoip pomnilniškega vezja MRAM, ki predstavlja bodočnost na področju hranjenja podatkov v mobilnih napravah. Prototip velikosti 16 Mb uporablja magnetno polje za spremembo stanja celice, podatke pa hrani tudi kadar ni priključen na napajanje. V primerjavi s tehnologijo Flash RAM rabi za delovanje bistveno manj energije, proizvodni proces pa je znatno cenejši. Prve izdelke lahko pričakujemo v letu 2005.