Prvi ST-MRAM
Podjetje Everspin Technologies je prvo, ki je v prodajo poslalo nov tip pomnilnika imenovanega Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM), ki ima značilnosti pomnilnikov NAND (Flash) in zmogljivost pomnilnikov DRAM. Podatke namreč hrani tudi brez prisotnosti električnega napajanja, nudi pa okoli 500-krat večjo hitrost prenosa podatkov, kot današnji pomnilniki Flash.
Pomnilniki MRAM podatke hranijo kot magnetno stanje in ne kot električni naboj, kar zahteva nenehno osveževanje celic (DRAM). Doslej so bili tovrstni pomnilniki na voljo le kot prototipi, zdaj pa Everspin to prinaša v domala vsakdanjo rabo. Domala zato, ker bodo na začetku pomnilniki ST-MRAM po ocenah okoli 50-krat dražji pri enakem pomnilniškem prostoru, kot pomnilniki Flash.
Zato jih vsaj na začetku umeščajo predvsem v vlogo hitrih predpomnilnikov med pomnilnikom DRAM in Flash RAM (ali navadnimi diski), kar naj bi pospešilo zlasti procesno intenzivne programe. ST-MRAM lahko tako izvrši okoli 400.000 ukazov (IOPS) na sekundo proti 800 pri pomnilnikih Flash.
Everspin je pripravil izvedbo, ki uporablja standardne pomnilnike DIMM in vmesnik JEDEC DDR3, tako da je združljiv z obstoječimi računalniškimi sistemi. Največji modul doslej bo ponujal prostora za okoli 64 GB podatkov. Točna cena še ni znana, pričakujejo pa, da se bo v naslednjih letih močno znižala, kot se bo obseg proizvodnje povečal.