Revolucionarna tehnologija za proizvodnjo miniaturnih tranzistorjev z univerze Berkeley

Raziskovalci na ameriški univerzi University of California v Berkleyju so razvili revolucionarno tehnologijo za proizvodnjo miniaturnih tranzistorjev, ki bo omogočila do 400-krat večjo gostoto teh gradnikov na enaki rezini silicija. Tehnologijo FinFET so razvili s sredstvi ameriške agencije DARPA (Defense Advanced Research Project Agency), vendar naj bi tehnologija bila na voljo tudi za javno uporabo. Še več, avtorji nove tehnologije so že oznanili, da ne nameravajo patentirati postopka, s čimer naj bi spodbudili uvedbo nove tehnologije v izdelkih za vsakdanjo rabo. Poleg hitrejših in zmogljivejših elektronskih sestavnih delov naj bi FinFET tudi pocenil proizvodnjo in s tem končne izdelke.