Objavljeno: 18.1.2005

Statični pomnilnik v 65 nanometrih

Intel je predstavil prve izdelke v 65-nanometrski tehnologiji. V novi tehnologiji so najprej izdelali 4-megabitni pomnilniški čip SRAM. Vsak bit sestavlja šest tranzistorjev z vrati premera 35 nm, ki so razporejeni na površini samo 0,57 kvadratnih mikrometrov. Kljub gostejši razporeditvi elementov na vezju je to vseeno razmeroma neobčutljivo na šum. Izdelava pomnilnika v 65-nanometrski tehnologiji je prvi korak k izdelavi naslednje generacije procesorjev.

http://www.intel.com

Naroči se na redna tedenska ali mesečna obvestila o novih prispevkih na naši spletni strani!

Komentirajo lahko le prijavljeni uporabniki

 
  • Polja označena z * je potrebno obvezno izpolniti
  • Pošlji