Objavljeno: 9.4.2011

Tranzistor s taktom 155 GHz

Grafen velja za snov, ki bi v prihodnosti utegnila nadomestiti silicij v elektronskih vezjih. V zadnjih letih so univerze, inštituti in tudi korporacije vložile veliko količino sredstev v razvoj bazičnih tehnologij na temelju grafena, zdaj pa se je to odrazilo v prototipu tranzistorja, ki za nekaj razredov prekaša to, kar je mogoče narediti s silicijem in ostalimi konvencionalnimi materiali.

IBM je tako v sodelovanju z ameriško obrambno agencijo DARPA razvil tranzistor, ki deluje pri neverjetnem taktu 155 GHz, kar je znatno več od dosedanjih dosežkov v območju 100 GHz. Še bolj navdušuje podatek, da je IBM tranzistor izdelal s pomočjo sodobne 40-nm proizvodne tehnologije, medtem ko so prejšnji projekt izvedli v staromodni 240-nm tehnologiji. Poznavalci menijo, da je to dober znak glede zrelosti nove tehnologije, čeprav so zadržani glede napovedi okoli začetka dejanske rabe. Najbrž je težko pričakovati, da jo bomo kmalu videli v izdelkih za domačo rabo, saj bo na začetku uporabnik predvsem vojska.

http://www.ibm.com

Naroči se na redna tedenska ali mesečna obvestila o novih prispevkih na naši spletni strani!

Komentirajo lahko le prijavljeni uporabniki

 
  • Polja označena z * je potrebno obvezno izpolniti
  • Pošlji