Znanstveniki so že pred desetletji predvideli, da bi bilo mogoče za pomnilniško celico uporabiti kar atom. Temu so se sedaj močno približali raziskovalci na ameriški univerzi Wisconsin, kjer so za enice in ničle uporabili kratke nize silicijevih atomov. Odločilnega pomena za uspeh je bilo, da z dodatki atomov zlata v silicijevem kristalu povzročijo, da se silicijevi atomi sami precizno oblikujejo v zaporedje točno petih atomov. Ta vzorec pa spominja na mikrostrukturo zapisa na CD-jih. Pri zapisovanju podatkov na atomarni stopnji je težava običajno v tem, da zapisovanje povzroči spremembe tudi v okoliških atomih, zato pri tem uporabljajo zelo nizke temperature. Tokrat pa so ta problem rešili tako, da za zapisovanje uporabljajo tunelski mikroskop in enostavno >>izbirajo<< posamezne atome vzdolž smeri zapisovanja. Optimalna razdalja za posamezni >>bit<< je dolžina štirih atomov, kar pomeni 1,5 nm (nanometra), oziroma 1,7 nm med posameznimi pomilniškimi celicami, kar je enako gostoti zapisa 250 trilijonov bitov na kvadratni palec. To pa je toliko, kot vsebina 7.800 DVD-jev na površini kvadratnega palca.
