Leta 2005 že 25 GHz
Intel je predstavil novo tehnologijo tranzistorjev za integrirana vezja, ki bo v prihodnosti omogočila bistveno hitrejše in energijsko manj potratne procesorje. Tehnologijo, ki stoji za novim tranzistorjem, so znanstveniki označili kot različico že znane IBMove tehnologije SIO (Silicon On Insulator). Pri tej tehnologiji se silicij nahaja na tanki plasti neprevodnega materiala, kar omogoča zmanjšanje električne moči, ki je potrebna za preklop tranzistorja iz stanja 1 v stanje 0 (in nasprotno) in hkrati zmanjšuje >>puščanje<< električnega toka oziorma prekomerne porabe električne energije, s tem pa tudi zmanjšuje elektromagnetne motnje, ki jih vezje oddaja v okolico.