Majhen in varčen pomnilnik
Nemški proizvajalec integriranih vezij, Infineon, bo sodeloval s Toshibo pri razvoju nove vrste pomnilnikov. Nova tehnologija temelji na fero-električnih lastnostih snovi. FeRAM naj bi porabil bistveno manj energije od trenutno najbolj razširjenih pomnilnikov DRAM in SRAM, poleg tega pa bodo lahko shranjeval podatke tudi tedaj, ko niso pod napetostjo. Zaradi naštetih lastnosti in majhnosti naj bi bili uporabni predvsem v različnih prenosnih napravah, na primer v prenosnih telefonih. Prvi pomnilniki z zmogljivostjo 32 MB naj bi bili na voljo do konca leta 2002, v prihodnosti pa načrtujejo še razvoj 64 MB in 128 MB pomnilnikov.