IBM kombinira tehnologije za boljše tranzistorje
Pri družbi IBM so razvili nov pristop k gradnji tranzistojev, ki bi lahko izboljšal njihovo hitrost in energijski izkoristek. V isti plasti so kombinirali prenapeti silicij in silicijev izolator. Prenapeti silicij izboljša gibljivost elektronov, kar se pokaže na večji hitrosti, silicijev izolator pa zmanjša tok curljanja, kar pomeni, da se zmanjšajo energetske izgube. Nova tehnologija naj bi izboljšala lastnosti za 20 do 30 odstotkov. Pri vezjih, ki v zadnjem času vsebujejo do 250 milijonov tranzistorjev, v kratkem pa jih bo še več, so take izboljšave ključne.